Современная электронная промышленность требует исключительно надежных, высокопроизводительных и миниатюрных чипов. Диэлектрические материалы с низкой диэлектрической проницаемостью, такие как SiO2, играют важную роль в полупроводниковой промышленности. SiO2 является одним из самых незаменимых материалов, широко используемых при изготовлении интегральных схем.
Метод Рамановской спектроскопии обладает высокой информативностью в отношении эффектов ближнего порядка и к динамике кристаллической решетки исследуемых материалов. К его особо привлекательным возможностям относится детектирование примесных фаз. По сравнению с дифракционными методами КР-спектроскопия имеет более высокую чувствительность в приложении к некристаллическим системам.
Спектроскопия комбинационного рассеяния позволяет точно идентифицировать многие химические и биологические агенты.
В библиотеке 20 000+ проверенных веществ.
У нас разные адреса производства, демонстраций и офиса, поэтому мы рекомендуем заранее обсудить с нами время Вашего визита, чтобы необходимый именно Вам специалист был на нужной локации.
г. Черноголовка, ул. Коммунальная, д. 3
Пн-Пт с 10:00 до 17:00
г. Москва, ул. Атарбекова, д. 4А, подъезд 6, офис 9
Пн-Пт с 10:00 до 17:00
Input your search keywords and press Enter.